IT之家 11 月 1 日消息，SK 海力士韩国当地时间 10 月 27 日表示，该企业在 10 月中旬举行的 2025 OCP 全球峰会上展示了下一代 NAND 闪存产品战略，并介绍了 AIN Family 产品组合。

"AIN Family" 中的"AIN" 是"AI-NAND" 的缩写，指专为 AI 时代进行优化的 NAND 闪存产品，包含 AIN P（Performance，性能）、AIN B（Bandwidth，带宽）、AIN D（Density，容量）三个分支。

其中 AIN P 是一款专为大规模 AI 推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过最小化 AI 运算与存储之间的瓶颈，提升处理速度与能效。SK 海力士称其正在以全新架构重新设计 NAND 闪存与控制器，并计划于 2026 年底推出样品。

而 AIN B 是一款通过堆叠 NAND 闪存以扩大带宽的解决方案产品，采用了名为 HBF 高带宽闪存 (High Bandwidth Flash) 的技术。SK 海力士称其正积极评估多种 AIN B 应用方案，包括将其与 HBM 协同配置以补充容量等多种灵活模式。

至于 AIN D，则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于 AI 数据的存储。AIN D 可将存储容量提升至最高 PB 级，同时兼顾 SSD 的高速性能与 HDD 的经济性，成为一种中间层存储产品。